会员登录 - 用户注册 - 设为首页 - 加入收藏 - 网站地图 突破性进展!三星400层NAND闪存开发完成:最快2025年二季度末量产!

突破性进展!三星400层NAND闪存开发完成:最快2025年二季度末量产

时间:2024-12-25 12:45:33 来源:分情破爱网 作者:百科 阅读:688次

12月9日消息,突破据媒体报道,性进三星已成功开发出突破性的展星400层堆叠NAND Flash闪存技术,并已开始将该技术转移到大规模生产线。层N存开成最产

这一进展有望超越前不久已宣布量产321层NAND Flash的发完SK海力士。

突破性进展!三星400层NAND闪存开发完成:最快2025年二季度末量产

三星计划在2025年国际固态电路会议(ISSCC)上详细介绍其1Tb容量400层堆叠TLC NAND Flash闪存,快年并预计于2025年下半年开始量产。季度

市场专家预测,末量如果进程加快,突破量产可能会在2025年第二季度末开始。性进

除了400层NAND Flash闪存,展星三星还计划增加其先进内存产品线的层N存开成最产产量,包括在平泽园区安装新第9代(286层堆叠)NAND Flash闪存生产设施,发完月产能为30000至40000片晶圆。快年

以及在中国西安工厂将128层堆叠(V6)NAND Flash闪存生产线转换为236层堆叠(V8)NAND Flash闪存产品制程。季度

目前,三星在全球NAND Flash闪存市场市占率为36.9%,面对SK海力士的竞争,三星的这一突破显得尤为重要。

 

(责任编辑:百科)

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